10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路  

1W,10～11GHz GaAs Power Monolithic Integrated Circuit

作　　者：张玉清[1] 张慕义[1] 高学邦[1] 李岚 王勇[1] 孙先花[1] 

机构地区：[1]电子工业部第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体情报》1997年第1期32-35,共4页Semiconductor Information

摘　　要：介绍了以栅宽1.2mm GaAs FET 器件为基础的两级 GaAs 功率单片集成电路的设计、制作及其性能。该两级单片集成电路在10～11GHz 频带内,输出功率1W,增益10dB。In this paper design,fabrication and performance of two-stage power mono- lithic ICs based on GaAs FET device with 1.2mm gate width are described.The two- stage MMIC provides lW of output power and 10dB of gain at 10～11GHz band.

关 键 词：砷化镓 单片集成电路 设计 

分 类 号：TN430.2[电子电信—微电子学与固体电子学]