王勇

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8毫米GaAs功率单片集成电路
《半导体情报》1997年第1期29-31,共3页张慕义 张玉清 高学邦 王勇 李岚 
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最大输出功率达150mW。
关键词：毫米波 砷化镓 单片集成电路 
10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路
《半导体情报》1997年第1期32-35,共4页张玉清 张慕义 高学邦 李岚 王勇 孙先花 
介绍了以栅宽1.2mm GaAs FET 器件为基础的两级 GaAs 功率单片集成电路的设计、制作及其性能。该两级单片集成电路在10～11GHz 频带内,输出功率1W,增益10dB。
关键词：砷化镓 单片集成电路 设计 
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