8毫米GaAs功率单片集成电路  

8mm GaAs Power Monolithic Integrated Circuit

作　　者：张慕义[1] 张玉清[1] 高学邦[1] 王勇[1] 李岚 

机构地区：[1]电子工业部第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体情报》1997年第1期29-31,共3页Semiconductor Information

摘　　要：介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最大输出功率达150mW。The design,fabrication,and performance,measurment of 8mm monolithic IC based on the device with 0.4ram gate width are presented. The performance of the MMIC are.P_(out)>100mW,g_a>3dB,P_(outmax)=150mW at 32～33GHz.

关 键 词：毫米波 砷化镓 单片集成电路 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]