宽带GaAs MMIC功率放大器的设计  

Design of broad-band GaAs MMIC power amplifier

作　　者：张务永[1] 王翠卿[1] 王生国[1] 王同祥[1] 张慕义[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050002

出　　处：《河北省科学院学报》2005年第3期19-22,共4页Journal of The Hebei Academy of Sciences

基　　金：国家科技重点实验室基金(514320501030Z2301)

摘　　要：概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.The developed process of GaAs MMIC power amplitier is introduced , then design tecnnlque of power amplifier is discussed. The design and process of a S/C-band broad-band GaAs MMIC power amplifi- er is introduced. Lossy matching structure modality and HFET technique is adopted in this chip. It can provide more than 3W output power, more than 23dB gain, and less than 2.5：1 input VSWR and output VSWR, and 18- 25 96 efficiency over the 3- 6GHz band.

关 键 词：宽带 MMIC 功率 HFET 有耗匹配 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]