王翠卿

作品数:1被引量:1H指数:1
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供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:MMICHFETGAAS_MMIC功率宽带更多>>
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宽带GaAs MMIC功率放大器的设计被引量:1
《河北省科学院学报》2005年第3期19-22,共4页张务永 王翠卿 王生国 王同祥 张慕义 
国家科技重点实验室基金(514320501030Z2301)
概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3~6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输...
关键词:宽带 MMIC 功率 HFET 有耗匹配 
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