GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量  

On\|Wafer Testing of GaAs Monolithic Integrated Laser\|Diode Driver

作　　者：孙伟[1] 田小建[1] 孙建国[1] 衣茂斌[1] 张慕义[2] 张玉清 马振昌[2] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系 [2]河北半导体研究所,石家庄050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第10期1010-1013,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .The multi\|contact microwave wafer probe has been used for on wafer testing and sifting of GaAs monolithic integrated laser diode driver.Using semiconductor laser, electro\|optic sampling analyzer,with back side probing geometry,is set up.High\|speed electric signals were measured,which are at internal points in the chip of GaAs monolithic integrated laser\|diode driver.

关 键 词：在片测量 砷化镓 单片集成电路 激光器 驱动电路 

分 类 号：TN407[电子电信—微电子学与固体电子学]