亚半微米

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亚半微米铬掩模版制作技术研究
《微纳电子技术》2002年第2期43-45,共3页王维军 罗四维 江泽流 刘玉贵 
介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。
关键词：电子束制版 亚半微米 混合制版 PMMA电子束抗蚀剂 干法刻蚀 掩模版 
365～193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制
《电子工业专用设备》2000年第4期50-56,共7页Brian Martin Graham Arthur 万力 
综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差 ,采用光刻模拟程序计算。采用顶层和底层抗反射涂层与否 ,对从 36 5nm曝光的 0 .40 μm到 193nm曝光的 0 .2 2 5 μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算。
关键词：半导体 光学光刻 模拟 多晶硅 亚半微米 曝光 
亚半微米投影光刻物镜的研究设计被引量：3
《微细加工技术》2000年第1期26-30,共5页陈旭南 姚汉民 李展 林妩媚 余国彬 罗先刚 张津 
介绍了分步重复投影光刻机亚半微米光刻物镜光学和机械结构研究设计、设计结果 ,以及公差控制。指出技术指标已达到 :数值孔径NA =0 .6 3、工作波长λ =36 5nm、倍率 5x、工作分辨力R 0 .35 μm ,设计物镜所用透镜片数最少 ,无胶合件 ...
关键词：亚半微米光刻 投影物镜 设计 集成电路 
亚半微米光刻投影物镜温度补偿控制及算法研究被引量：2
《微细加工技术》1999年第2期71-78,共8页张津 姚汉民 陈旭南 唐小平 
主要介绍一种光刻机投影物镜温度补偿控制的原理及控制算法。根据系统结构、对象特性和过程指标要求，采用了一种智能型线性－模糊控制器，获得了优良的动态和稳态性能。
关键词：投影物镜 温度补偿 光刻 大规模集成电路 
移相掩模应用技术
《半导体技术》1999年第2期28-29,共2页贾海强 张玉清 张慕义 李岚 
一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。
关键词：亚半微米 移相掩膜 半导体集成电路 应用 
提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术(Ⅱ)
《物理》1998年第5期278-281,300,共5页罗先刚 陈旭南 姚汉民 
提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）罗先刚陈旭南姚汉民（中国科学院光电技术研究所，成都６１０２０９）４相移掩模技术［５］相移掩模（ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ，ＰＳＭ）最初由美国的Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ于１...
关键词：光刻 分辨力 亚半微米图形 相移掩模 
提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术(Ⅰ)
《物理》1998年第4期219-222,共4页罗先刚 陈旭南 姚汉民 
介绍了目前用于提高亚半微米投影光刻机成像分辨力、增大焦深的新技术及主要研究方向．对大数值孔径和短波长技术、倾斜（离轴）照明技术、相移掩模技术、光瞳滤波技术、多焦面曝光技术以及表面成像技术的原理和现状作了较为详细的阐述...
关键词：分辨力 焦深 大数值孔径 短波长 光刻 亚半微米 
亚半微米投影光刻的自动对准技术被引量：4
《电子工业专用设备》1997年第4期17-22,共6页程建瑞 
主要介绍了国外用于生产型亚半微米分步投影曝光机的几种自动对准技术。通过分析对比，指出了相位光栅自动对准技术是我所研制下一代分步曝光机最具吸引力的方案。
关键词：自动对准 光刻 分步投影曝光机 半导体器件 
亚半微米投影曝光机的逐场调焦调平技术被引量：4
《电子工业专用设备》1997年第4期23-26,共4页肖倩 陈旭南 罗先刚 
介绍用于亚半微米分步重复投影曝光机的ＰＳＤ调焦调平、激光干涉调焦调平、多点高度测量传感和单光路多点检测等逐场调焦调平技术，较详细地阐述各技术原理、组成及能达到的精度，分析各种方法的优缺点和主要实用范围，为自主研制亚半...
关键词：亚半微米 投影曝光机 逐场调平 半导体器件 光刻 
亚半微米光刻技术的新动向被引量：1
《半导体情报》1993年第1期49-57,共9页钱小工 
最近几年中提出了几种用于光学光刻的新方法,包括移相掩模技术、斜向照明、环形照明、FLEX和Super-FLEX等,这些方法提高了光学投影光刻的分辨率,并改善了一定特征尺寸下的焦深,期望它们可以将现有的i线步进机的用途扩展到制造最小特征...
关键词：光刻 工艺 半导体器件 
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