365～193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制  

作　　者：Brian Martin Graham Arthur 万力 

机构地区：[1]GECPlesseySemiconductors [2]CentralMicrostructureFacility,RutherfordAppletonLaboratory

出　　处：《电子工业专用设备》2000年第4期50-56,共7页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差 ,采用光刻模拟程序计算。采用顶层和底层抗反射涂层与否 ,对从 36 5nm曝光的 0 .40 μm到 193nm曝光的 0 .2 2 5 μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算。

关 键 词：半导体 光学光刻 模拟 多晶硅 亚半微米 曝光 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]