亚半微米铬掩模版制作技术研究  

Study on sub-half-micron Cr mask fabricating technology

作　　者：王维军[1] 罗四维[1] 江泽流[1] 刘玉贵[1] 

机构地区：[1]河北半导体研究所,河北石家庄050051

出　　处：《微纳电子技术》2002年第2期43-45,共3页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。The paper describes the process technology of sub-micron and sub-half-micron Cr mask making,on4inches Cr plates coated with PMMA resist,through electron beam exposing,wet deve-lopment ,dry etching,etc.,using Leica VB5electron beam lithography system.

关 键 词：电子束制版 亚半微米 混合制版 PMMA电子束抗蚀剂 干法刻蚀 掩模版 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]