刘玉贵

作品数：7被引量：8H指数：1
导出分析报告
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文主题：干法刻蚀GAAS器件掩模版电子束库仑阻塞更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《物理学报》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
铟量子点实现单电子晶体管方法被引量：1
《西安电子科技大学学报》2006年第2期186-189,共4页郭荣辉 赵正平 郝跃 刘玉贵 武一斌 吕苗 
国家部委科技重点基金支持项目(51432030101DZ2302)
研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管,它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的.实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点.该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了多岛结构的单电子晶体管.
关键词：单电子晶体管 库仑阻塞 量子点 
多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析被引量：6
《物理学报》2005年第4期1804-1808,共5页郭荣辉 赵正平 郝跃 刘玉贵 武一宾 吕苗 
专用集成电路国家级重点实验室基金资助的课题~~
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电...
关键词：多岛单电子晶体管 量子点 库仑阻塞 共隧穿效应 
纳电子器件被引量：1
《微纳电子技术》2003年第7期557-561,共5页郭荣辉 赵正平 刘玉贵 武一宾 吕苗 杨拥军 
随着电子器件的小型化 ,器件的尺寸已经到了介观尺寸 ,传统的器件日益接近其物理机理的禁区 ,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点 ,介绍了几种典型的纳电子器件 ,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转...
关键词：纳电子器件 介观系统 量子干涉器件 共振隧穿器件 单电荷转移器件 工作机理 
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
《微纳电子技术》2003年第2期39-41,共3页罗四维 王维军 江泽流 刘玉贵 
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩...
关键词：电子束 光学制版技术 GAAS器件 掩模版 干法刻蚀 电荷积累效应 砷化镓 
基于重核衰变原理的单电子存储器寿命模型
《微纳电子技术》2002年第9期6-8,18,共4页郭荣辉 赵正平 刘玉贵 周瑞 吕树海 齐荣巧 张月梅 吕苗 
单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件。它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点,是现有存储器极有希望的替代品。信息的记忆性能是衡量存储器的一个重要参数,因而对单电子存储器的记忆性能研究有重要...
关键词：单电子存储器 存储寿命 重核衰变 量子器件 
电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用
《微纳电子技术》2002年第4期42-43,共2页刘玉贵 王维军 罗四维 江泽流 
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
关键词：电子束直写直栅 T形栅工艺技术 电子束曝光技术 GAAS器件 
亚半微米铬掩模版制作技术研究
《微纳电子技术》2002年第2期43-45,共3页王维军 罗四维 江泽流 刘玉贵 
介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。
关键词：电子束制版 亚半微米 混合制版 PMMA电子束抗蚀剂 干法刻蚀 掩模版 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部