电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用  

Applications of process technology of EB direct-writing gate and T-shape gate

作　　者：刘玉贵[1] 王维军[1] 罗四维[1] 江泽流[1] 

机构地区：[1]河北半导体研究所,河北石家庄050051

出　　处：《微纳电子技术》2002年第4期42-43,共2页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。The paper describes the process technology of fabricating gates less than0.5μm and T-shape gates on GaAs wafers through electron direct-writing technology,and this has been ap-plied to fabricate GaAs devices.

关 键 词：电子束直写直栅 T形栅工艺技术 电子束曝光技术 GAAS器件 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]