王维军

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电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
《微纳电子技术》2003年第2期39-41,共3页罗四维 王维军 江泽流 刘玉贵 
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩...
关键词：电子束 光学制版技术 GAAS器件 掩模版 干法刻蚀 电荷积累效应 砷化镓 
电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用
《微纳电子技术》2002年第4期42-43,共2页刘玉贵 王维军 罗四维 江泽流 
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
关键词：电子束直写直栅 T形栅工艺技术 电子束曝光技术 GAAS器件 
亚半微米铬掩模版制作技术研究
《微纳电子技术》2002年第2期43-45,共3页王维军 罗四维 江泽流 刘玉贵 
介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。
关键词：电子束制版 亚半微米 混合制版 PMMA电子束抗蚀剂 干法刻蚀 掩模版 
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