PECVD技术制备光学减反射膜工艺探索  

Preparation of anti-reflection films by PECVD technology

作　　者：张霄[1] 杭凌侠[1] 

机构地区：[1]西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安710032

出　　处：《光学技术》2011年第1期97-100,共4页Optical Technique

摘　　要：讨论了采用PECVD方法在K9玻璃基底上制备SiO2、SiNx、以及SiOxNy薄膜材料的工艺参数与薄膜光学特性、沉积速率的关系,并且运用掌握的工艺参数成功地制备了400～800nm波长范围双层、梯度折射率减反射膜样片。实验结果表明,采用PECVD方法能够制备折射率可控的光学薄膜材料,沉积薄膜厚度的精度可以控制在7%以内。Using PECVD technology,the process parameters influence on the optical performance and the deposition rate of SiO2,SiNx,and SiOxNy thin films is discussed.Based on the process parameters,double layers and gradient refractive index antireflection films in the range of 400-800nm is fabricated successfully.The results show that refractive index of gradient refractive films is precise and controllable.The thickness of the films can be precisely achieved with accuracy below 7%.

关 键 词：PECVD 光学减反射膜 工艺参数 薄膜光学特性 

分 类 号：O484.42[理学—固体物理]