图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究  

Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires

作　　者：王秀平[1] 杨晓红[1] 韩勤[1] 鞠研玲[1] 杜云[1] 朱彬[1] 王杰[1] 倪海桥[2] 贺继方[2] 王国伟[2] 牛智川[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《物理学报》2011年第2期170-174,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB936304;2006CB302802);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z421;2009AA03Z404);国家自然科学基金(批准号:60876093)资助的课题~~

摘　　要：报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.GaAs /AlGaAs quantum wires grown by molecular beam epitaxy on a V-groove patterned substrate was described. The cross section of scan electron microscopy （SEM） image shows that crescent-type quantum wire were formed at the V groove bottom,which is a triangle of about 60 nm in width and 14 nm in height. Two peaks at 793. 7 nm and 799. 5 nm of photoluminescence spectrum at 87 K verified the existence of quantum wires. Theoretical calculation gives 8 meV blue shift,which is proved to be casued by lateral confinement compared with quantum well of the same width.

关 键 词：V型槽图形衬底 量子线 GAAS 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]