Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜  

Epitaxial growth of Ge_(0.975)Sn_(0.025) alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy

作　　者：苏少坚[1] 汪巍[1] 张广泽[1] 胡炜玄[1] 白安琪[1] 薛春来[1] 左玉华[1] 成步文[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《物理学报》2011年第2期707-711,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003;60906035;51072194);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(批准号:ISCAS2009T01)资助的课题~~

摘　　要：使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.Ge0. 975 Sn0. 025 alloy films have been grown on Si（001） substrates by molecular beam epitaxy with high-quality Ge films as buffer layers. The alloys have high crystalline quality without Sn surface segregation,determined by double crystal X-ray diffraction and Rutherford backscattering spectra measurement. In addition,the Ge0. 975Sn0. 025 alloy has rather good thermal stability at 500 ℃ ,which makes it possible to be used in Si-based optoelectronic devices.

关 键 词：GeSn Ge 分子束外延 外延生长 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]