偏压对CrAlTi(Ce)N薄膜的制备和性能的影响  

Influence of Bias Voltage on Microstructures and Properties of CrAlTi(Ce) N Coatings

作　　者：刘兆政[1] 刘耀辉[2] 佟玉玲 狄驰[3] 

机构地区：[1]吉林石化公司,吉林132021 [2]吉林大学材料科学与工程学院,长春130025 [3]东北电力大学能源与机械工程学院,吉林132012

出　　处：《真空科学与技术学报》2011年第1期80-84,共5页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：吉林省科技厅项目(20050506);长春市科技计划项目(2004176)

摘　　要：本文通过使用Teer-UDP450磁控溅射设备制备CrAlTi(Ce)N薄膜,实验过程中改变偏压。使用了原子力显微镜、X射线衍射仪对CrAlTi(Ce)N薄膜进行分析和研究。试验结果表明:CrAlTi(Ce)N薄膜生长速度随着偏压值的增加而减小;CrAlTi(Ce)N薄膜中XRD衍射峰发生变化,偏压值从60 V升高到100 V,(111)峰择优生长趋势明显,偏压120 V时出现非晶态;CrAlTi(Ce)N薄膜的粗糙度随着偏压值的增加而降低;CrAlTi(Ce)N薄膜的柱状晶尺寸随着偏压值的升高而减小,但当偏压值为120V时,CrAlTi(Ce)N薄膜为非柱状晶结构,CrAlTi(Ce)N薄膜表面出现弹坑形状。The results show that the bias voltage significantly affects the deposition rate and microstructures of the coating.For instance,three quantities,including the deposition rate,the columnar grains size,and the surface roughness,decrease with an increase of the bias voltage.As the bias voltage increases from 60 V to 100 V,the XRD peak of（111） preferential growth orientation remained sharp and clear;at 120 V,amorphous phase was observed with fairly high surface densities of craters but without any columnar grains.

关 键 词：磁控溅射 偏压 稀土Ce 原子力显微镜 

分 类 号：TG174.44[金属学及工艺—金属表面处理]