硅DRIE刻蚀工艺模拟研究  

The Simulation Research of DRIE Process

作　　者：朱福运[1] 于民[1] 金玉丰[1] 张海霞[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究院微米/纳米国家重点实验室,北京100871

出　　处：《中国电子科学研究院学报》2011年第1期28-30,35,共4页Journal of China Academy of Electronics and Information Technology

基　　金：国家重大专项(2009ZX02038);自然科学基金重点项目(91023045)

摘　　要：随着现代科技的发展,人们对微系统的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越来越高,基于硅通孔技术技术的三维系统封装技术(3D SiP,three dimensional dystem in packaging)愈发显现出其重要的研究价值。硅通孔技术将集成电路垂直堆叠,在更小的面积上大幅地提升芯片性能并增加芯片功能。为帮助工艺人员更好地开展硅通孔技术工艺实验,开展了硅通孔技术关键工艺深反应离子刻蚀工艺模拟研究工作及开展这一工作所采用的物理模型和模拟方法,并将模拟结果与实验结果进行了对比。Along with the development of modern science and technology,people expect more of the miniaturization,high performance,multi-function,low power consumption and low cost of microsystem.The 3D SiP（Three Dimensional System in Packaging） based on TSV（Through Silicon Via） technology is becoming more and more important.TSV can greatly promote chip performance and increase chip functions in smaller area by means of the vertical stack of integrated circuit.To help technology researchers to carry out TSV experiment,we performed the simulation work on DRIE,which is the key process of TSV technology.In this paper we explain the models we adopted and the simulation results will be compared with the experiment research.

关 键 词：硅通孔技术 深反应离子刻蚀 工艺模拟 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]