氧化锌锡薄膜晶体管的研究  

Study of zinc tin oxide thin-film transistor

作　　者：王雄[1] 才玺坤[1] 原子健[1] 朱夏明[1] 邱东江[1] 吴惠桢[1] 

机构地区：[1]浙江大学物理学系,硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《物理学报》2011年第3期626-629,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10974174);国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2011CB925603);浙江省自然科学基金(批准号:Z6100117,Y4080171)资助的课题~~

摘　　要：在ITO玻璃基底上用射频磁控溅射技术生长氧化锌锡(ZnSnO)沟道有源层、用PECVD生长SiO2薄膜作为薄膜晶体管的栅绝缘层研制了薄膜晶体管(TFT),器件的场效应迁移率最高达到μn=9.1cm2/(V·s),阈值电压-2V,电流开关比为104.Thin film transistors with zinc tin oxide as the active channel layer were fabricated on ITO glass by rf magnetron sputtering. SiO2 gate dielectric was grown using plasma-enhanced chemical vapor deposition （ PECVD）. These devices operate with a maximum field effect mobility of 9. 1 cm2 /V·s,threshold voltage of-2 V,and current on /off ratio of 104.

关 键 词：氧化锌锡 薄膜晶体管 场效应迁移率 

分 类 号：TN321.5[电子电信—物理电子学]