不同熔体配比的InP分析研究  

Study of InP Materials Growth from Various Stoichiometric Melts

作　　者：孙聂枫[1] 陈旭东[1] 杨光耀[1] 赵有文 谢德良[1] 刘二海[1] 刘思林 孙同年[1] 

机构地区：[1]电子十三所,石家庄050051

出　　处：《半导体情报》1999年第4期41-46,55,共7页Semiconductor Information

摘　　要：原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作， 得到了一些相当有意义的结果， 对研究非掺杂半绝缘 ＩｎP rich,In rich and stoichiometric undoped InP melts have been synthesized by phosphorus in situ injection method,InP crystal ingots have been grown from these melts by LEC method.Some samples from these ingots have been characterized through Hall Effect,Fourier Transform Infrared(FT IR)spectroscopy measurements,PL spectroscopy measurements respectively.We get some good results.These data can support the model of undope SI InP.

关 键 词：原位磷注入合成 InP晶体 液封直拉法 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]