谢德良

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
发文主题：INPINP单晶EPD半导体材料单晶生长更多>>
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不同熔体配比的InP分析研究被引量：2
《半导体情报》1999年第4期41-46,55,共7页孙聂枫 陈旭东 杨光耀 赵有文 谢德良 刘二海 刘思林 孙同年 
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作， 得到了一些相当有意义的结果...
关键词：原位磷注入合成 InP晶体 液封直拉法 
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