刘二海

作品数：3被引量：6H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：INP单晶硫位错密度单晶生长磷化铟更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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Φ100mm掺硫InP单晶生长研究被引量：4
《半导体技术》2004年第3期31-34,共4页徐永强 李贤臣 孙聂枫 杨光耀 周晓龙 谢德良 刘二海 孙同年 
国家自然科学基金(60276008)
InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用。掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域。为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究。首先解决了大容量直...
关键词：磷化铟 单晶生长 位错密度 大容量直接合成 
富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2004年第1期134-137,共4页周晓龙 安娜 孙聂枫 徐永强 杨光耀 谢德良 刘二海 李光平 周智慧 董彦辉 孙同年 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 0 8)
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的...
关键词：磷化铟 掺硫单晶材料 位错密度 原位磷注入合成法 富磷熔体 
不同熔体配比的InP分析研究被引量：2
《半导体情报》1999年第4期41-46,55,共7页孙聂枫 陈旭东 杨光耀 赵有文 谢德良 刘二海 刘思林 孙同年 
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作， 得到了一些相当有意义的结果...
关键词：原位磷注入合成 InP晶体 液封直拉法 
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