云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 周晓龙

周晓龙: 作品数：5被引量：13H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文主题：磷化铟INP单晶单晶生长掺杂波函数更多>>; 发文领域：电子电信语言文字理学更多>>; 发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《电子工艺技术》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国防科技重点实验室基金天津市自然科学基金更多>>

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磷化铟晶体合成生长研究现状被引量：6: 《电子工艺技术》2010年第3期135-140,共6页高海凤杨瑞霞杨帆孙聂枫周晓龙; 介绍了磷化铟的基本属性及其在光电子与微电子器件方面的应用,归纳了磷化铟合成与单晶生长的主要方法,并对各种方法进行了比较。对国内外磷化铟体单晶领域的的研究状况、磷化铟中的缺陷与杂质及半绝缘磷化铟的形成机制方面的研究成果作...; 关键词：磷化铟单晶生长缺陷杂质半绝缘

大直径InP单晶生长研究被引量：4: 《半导体技术》2009年第4期311-314,共4页周晓龙杨克武杨瑞霞孙同年孙聂枫; 生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的...; 关键词：磷化铟直径孪晶热场液封直拉坩埚单晶

2W6～18GHz宽带MMIC功率放大器: 《固体电子学研究与进展》2008年第4期497-500,共4页骆新江杨瑞霞吴景峰周晓龙姜霞; 天津市自然科学基金(07JCZDJC06100);河北省自然科学基金(F2007000098)资助项目; 运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT器件进行了大信号建模,并利用此模型,采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法,制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为:在6～1...; 关键词：功率放大器宽带微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管

Φ100mm掺硫InP单晶生长研究被引量：4: 《半导体技术》2004年第3期31-34,共4页徐永强李贤臣孙聂枫杨光耀周晓龙谢德良刘二海孙同年; 国家自然科学基金(60276008); InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用。掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域。为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究。首先解决了大容量直...; 关键词：磷化铟单晶生长位错密度大容量直接合成

富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究被引量：3: 《固体电子学研究与进展》2004年第1期134-137,共4页周晓龙安娜孙聂枫徐永强杨光耀谢德良刘二海李光平周智慧董彦辉孙同年; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 0 8); 采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的...; 关键词：磷化铟掺硫单晶材料位错密度原位磷注入合成法富磷熔体

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