高海凤

作品数：1被引量：6H指数：1
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发文主题：单晶生长磷化铟半绝缘INP磷更多>>
发文领域：电子电信环境科学与工程更多>>
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磷化铟晶体合成生长研究现状被引量：6
《电子工艺技术》2010年第3期135-140,共6页高海凤 杨瑞霞 杨帆 孙聂枫 周晓龙 
介绍了磷化铟的基本属性及其在光电子与微电子器件方面的应用,归纳了磷化铟合成与单晶生长的主要方法,并对各种方法进行了比较。对国内外磷化铟体单晶领域的的研究状况、磷化铟中的缺陷与杂质及半绝缘磷化铟的形成机制方面的研究成果作...
关键词：磷化铟 单晶生长 缺陷 杂质 半绝缘 
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