磷化铟晶体合成生长研究现状  

Synthesis Grown and Development of InP Crystal

作　　者：高海凤[1] 杨瑞霞[1] 杨帆[1] 孙聂枫[2] 周晓龙[2] 

机构地区：[1]河北工业大学,天津300401 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《电子工艺技术》2010年第3期135-140,共6页Electronics Process Technology

摘　　要：介绍了磷化铟的基本属性及其在光电子与微电子器件方面的应用,归纳了磷化铟合成与单晶生长的主要方法,并对各种方法进行了比较。对国内外磷化铟体单晶领域的的研究状况、磷化铟中的缺陷与杂质及半绝缘磷化铟的形成机制方面的研究成果作了介绍和讨论,同时,介绍了磷化铟单晶材料研究领域的发展趋势。The characteristics of InP are presented. The applications of InP in photoelectronics and microelectronics are discussed. The main methods of InP synthesis and single crystal growth are summarized and compared. The home and abroad research status of InP is described. The defects and impurities in InP and formation mechanism of semi - insulating InP are discussed in detail. The study trends of InP single crystal properties are also introduced.

关 键 词：磷化铟 单晶生长 缺陷 杂质 半绝缘 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]