集成电路制造中真实缺陷位置的提取方法  被引量:3

Extraction methods of real defect positions in theIC manufacturing process

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作  者:王俊平[1,2] 姜晓鸿 方敏[1,2] 王正光[1,2] 

机构地区:[1]西安电子科技大学应用数学系 [2]西安电子科技大学计算机学院

出  处:《西安电子科技大学学报》1999年第4期510-513,共4页Journal of Xidian University

基  金:西安电子科技大学科研基金;北京大学视觉与听觉信息处理实验室开放课题基金

摘  要:提出一种IC缺陷特征的提取算法,该算法能自动检测出IC缺陷的位置.在预处理阶段,利用形态开运算消除小缺陷和背景噪音,对开后的结果图像进行形态腐蚀,获得冗余物型缺陷的位置特征.实验证明了该算法的正确性.该结果为计算机自动检测IC真实缺陷提供了有效的途径.A new extracting algorithm for IC defects is presented, whch can be used to detect the position of an IC defect automatically. First, the morphological opening is used to detect some defects and background noise. This step is followed by morphological eroding, which can determine the positions of the extra material defects of an IC. Experimential results show that the algorithms is valid and makes it possible for a computer to detect IC defects automatically.

关 键 词:IC缺陷 缺陷位置提取 形态算子 

分 类 号:TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

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