纳秒激光加工生成硅量子点的发光性质研究  

Properties of emission on Si quantum dots formed by nanosecond laser irradiation

作　　者：黄伟其[1] 蔡成兰[1] 刘家兴[1] 吕泉[1] 秦朝建[2] 王晓允[1] 张荣涛[1] 于示强[1] 

机构地区：[1]贵州大学纳米光子物理研究所,贵阳550025 [2]中国科学院地球化学研究所,贵阳550003

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2011年第3期236-242,共7页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:10764002;60966002)

摘　　要：该文报道氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成量子点结构,发现这些样品在700 nm波长附近均有增强的光致发光(Photoluminescence,PL),且各样品的PL峰很相似;经适当退火处理后,在某些样品上观察到随机受激发光.通过第一性原理计算,发现各种量子点结构表面的成键类型与密度是形成PL发光增强的关键,并由此提出相应的物理模型.Quantum dots（QD） can be fabricated by nanosecond laser irradiation on silicon samples in the oxygen,nitrogen or air atmospheres.The enhanced photoluminescence（PL） emerges at about 700 nm and the shape of PL peaks is similar almost.Random stimulated emission can be observed on QD treated with annealing.Calculation of primary principle shows that the kind and the density of bonds on QD surface play an important role in enhancement of PL emission.We propose a physical model to explain the mechanism of the PL enhancement.

关 键 词：纳秒激光 量子点 光致荧光 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]