高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制  

Preparation of High Performance a Si∶H TFT Devices

作　　者：袁剑峰[1] 杨柏梁[1] 朱永福[1] 李牧菊[1] 刘传珍[1] 吴渊[1] 廖燕平 王刚[1] 邵喜斌[1] 刘宏武 黄锡珉 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所北方液晶工程研究开发中心,吉林长春130021 [2]吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林长春130021

出　　处：《液晶与显示》1999年第3期181-186,共6页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：中国科学院 "九五"重大项目;吉林省"九五"科技攻关项目资助

摘　　要：介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。The study of the active layer, the insulator layer, the ohmic contact layer, and the interface of a Si∶H/a  SiN x ∶H in a Si TFT devices were presented in this paper The single a Si TFT device was prepared, which ratio of on to off current reached to six orders of magnitude This work laid a solid foundation for a Si∶H TFT AM LCD used for video display

关 键 词：HTFT 开关器件 有源层 栅绝缘层 液晶显示器 

分 类 号：TN141.9[电子电信—物理电子学]