朱永福

作品数：2被引量：1H指数：1
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发文主题：液晶显示器A-SI开关器件栅绝缘层有源层更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响
《液晶与显示》1999年第4期279-283,共5页朱永福 李牧菊 杨柏梁 刘传珍 廖燕平 袁剑锋 刘雅言 申德振 
中国科学院院长基金
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的...
关键词：等离子体化学气相沉积 非晶氮化硅薄膜 含氢范围 
高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制被引量：1
《液晶与显示》1999年第3期181-186,共6页袁剑峰 杨柏梁 朱永福 李牧菊 刘传珍 吴渊 廖燕平 王刚 邵喜斌 刘宏武 黄锡珉 
中国科学院 "九五"重大项目;吉林省"九五"科技攻关项目资助
介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ ...
关键词：HTFT 开关器件 有源层 栅绝缘层 液晶显示器 
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