淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响  

Influence of Deposition Conditions on H Contained Groups in a-SiN_x:H Film

作　　者：朱永福[1] 李牧菊[1] 杨柏梁[1] 刘传珍[1] 廖燕平 袁剑锋 刘雅言[2] 申德振[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所 [2]中国科学院长春应用化学研究所,吉林长春130021

出　　处：《液晶与显示》1999年第4期279-283,共5页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：中国科学院院长基金

摘　　要：利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响，同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。The effects of the deposition conditions on IR obsorption spectrum of a- SiNx:H filmdeposited in PECVD system has been studied. We focused on the dependence of spectralintensity of SiH, NH and NH2 group on the deposition conditions, such as the ratio of gasflow rate, substrate temperature, RF glow power and so on. Moreover, the H containedgroups in annealed a- SiN.:H film has also been investigated in this paper

关 键 词：等离子体化学气相沉积 非晶氮化硅薄膜 含氢范围 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]