MOS器件中的电离损伤机制  

作　　者：答元[1] 陈世彬[1] 

机构地区：[1]西安工业大学

出　　处：《中小企业管理与科技》2011年第9期295-296,共2页Management & Technology of SME

摘　　要：针对总剂量电离辐射效应对MOS器件的影响,研究了MOS器件中的电离损伤机制,MOS器件的SiO2氧化层中因为电离辐射而有沉积能量,使得氧化层电荷和界面态电荷在半导体(Si)表面感生出电荷,使SiO2/Si界面电势变化,从而导致MOS管的阈值电压漂移、跨导退化和漏极电流下降。

关 键 词：MOS 电离辐射 阈值电压 

分 类 号：TN722.77[电子电信—电路与系统]