陈世彬

作品数：3被引量：4H指数：2
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发文主题：蒙特卡罗MONTE_CARLO模拟锗硅Γ辐射更多>>
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MOS器件中的电离损伤机制
《中小企业管理与科技》2011年第9期295-296,共2页答元 陈世彬 
针对总剂量电离辐射效应对MOS器件的影响,研究了MOS器件中的电离损伤机制,MOS器件的SiO2氧化层中因为电离辐射而有沉积能量,使得氧化层电荷和界面态电荷在半导体(Si)表面感生出电荷,使SiO2/Si界面电势变化,从而导致MOS管的阈值电压漂移...
关键词：MOS 电离辐射 阈值电压 
高能光子在锗中能量沉积的蒙特卡罗模拟被引量：2
《西安工业大学学报》2010年第4期307-309,共3页陈世彬 姚香檀 
电离能量沉积影响半导体器件的瞬时响应特性,研究高能光子在锗中电离能量沉积及其分布对锗器件的抗电离辐射加固研究具有重要的指导意义.利用高能光子反应截面数据库及蒙特卡罗模拟方法,计算了高能光子在锗中的电离能量沉积及其分布,给...
关键词：Γ辐射 锗 蒙特卡罗 能量沉积 
中子在硅中能量沉积的Monte Carlo模拟被引量：2
《西安工业大学学报》2007年第4期360-362,共3页陈世彬 
不同的半导体器件对高能中子在半导体材料中的电离能量沉积和非电离能量沉积的响应规律不同,研究半导体器件的辐射损伤需要首先研究其材料的损伤.在现有中子截面数据库和粒子与物质相互作用的理论基础上,利用中子输运的Monte Carlo模拟...
关键词：中子损伤 计算机模拟 蒙特卡罗 能量沉积 
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