Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展  

Device Applications and MBE Growth of Ⅱ-Ⅵ Cd-based Compound Materials

作　　者：赵杰[1] 刘超[1] 李彦波[1] 曾一平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京100083

出　　处：《半导体光电》2011年第1期1-5,14,共6页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60876004)

摘　　要：Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用。文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态,并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望。Ⅱ-Ⅵ Cd-based compounds with the characteristics of direct band gap,high optical absorption coefficient,and excellent electrical properties,have been extensively used in solar cells,X-and γ-ray detectors,infrared focal plane arrays（FPAs）,etc.In this paper,progresses in molecular-beam-epitaxy（MBE） growth and device applications of Cd-based compounds are briefly reviewed.And their prospects in the field of optoelectronics are also predicted.

关 键 词：Ⅱ-Ⅵ族镉化物 分子束外延 太阳电池 X射线探测器 红外焦平面阵列 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]