中长波红外光波导器件发展现状  

Development Status of Optical Waveguided Devices for Mid/Long-wave Infrared Region

作　　者：李国熠[1] 魏玉欣[1] 周强[1] 杨建义[1] 王明华[1] 江晓清[1] 

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程学系,杭州310027

出　　处：《半导体光电》2011年第1期6-10,142,共6页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"973"计划项目(2007CB613405)

摘　　要：阐述了中长波红外光波导器件的设计理念和用途。在介绍该领域的研究成果和最新进展的基础上,以应用在波长为10.6μm的硅基光波导器件为例介绍了实现低损耗波导的方法。The design principles and applications of optical waveguided devices for mid/long-wave infrared region（LWIR）are illustrated.And the development status and progresses in this field are introduced,based on which,taking 10.6 μm Si-based waveguided components as the example,the methods for obaining low-loss waveguide are presented.

关 键 词：中长波红外 低损耗 光波导器件 硅基 集成光学 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]