磁控溅射法制备硅纳米晶体及其光电特性研究  

作　　者：王威[1] 丁澜[1] 马锡英[1] 

机构地区：[1]苏州科技学院数理学院物理科学与技术系,苏州215011

出　　处：《中国科技信息》2011年第7期33-34,共2页China Science and Technology Information

基　　金：国家自然基金项目(No.60976071)

摘　　要：本文介绍了以高纯硅为靶材,利用直流磁控溅射法在P型硅(111)衬底上生长硅纳米晶体薄膜,并在600摄氏度温度下退火处理。应用扫描电镜观察发现制备的硅纳米晶体粒度均匀,薄膜粗糙度小。X射线衍射仪分析发现硅纳米晶体具有(201)晶面取向生长的特点。与块体材料相比,硅纳米晶体不仅具有良好的电学性能,还具有良好的光学性能,其吸收谱包含本征、激子和自由载流子等丰富的吸收峰。

关 键 词：硅纳米晶体 磁控溅射 扫描电镜 红外光谱 X射线衍射 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]