双极器件和MOS LSI的本征吸杂研究  

作　　者：Tadashi Hirao 蔡菊荣 

出　　处：《微电子学》1990年第1期59-64,共6页Microelectronics

摘　　要：为了寻找一种有效而又可靠的吸杂技术,研究了一种采用HCl氧化的三步预热处理工艺方法。在这种方法中,氧化引起的体内堆垛层错起看吸杂中心的作用。利用HCl本征吸杂,可以完全去除外延堆垛层错,降低高速双极器件的结漏失效。本文提出的HCl本征吸杂技术应用在MOS图象传感器和动态RAM中,可以改善它们的产品性能。

关 键 词：双极器件 MOS LSI 吸杂 

分 类 号：TN430.5[电子电信—微电子学与固体电子学]