吸杂

作品数：55被引量：81H指数：6
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便携机分离筒吸杂口偏置型清选装置的设计与试验被引量：2
《农机化研究》2016年第11期204-208,共5页李灵敏 徐瑞 石坤鹏 许庆峰 王晓兰 王升升 
河南省重点科技攻关计划项目(152102210276)
清选系统是便携式谷物联合收获机的重要部分。为此,针对丘陵山区用的双行便携式谷物联合收获机,清选作业时吸杂风机转速过高的问题,对吸杂口偏置型分离筒进行了结构设计。通过自制的分离筒吸杂口偏置型清选装置试验台,对吸杂口的旋转角...
关键词：联合收割机 清选装置 分离筒 吸杂口 清选性能 
重掺锑直拉单晶硅的掺氮效应
《世界有色金属》2015年第1期36-38,共3页韩建超 
本文研究了Si3N4熔融掺氮条件下重掺锑直拉单晶硅的性质。实验结果表明,掺氮重掺锑直拉单晶硅比一般的重掺锑直拉单晶硅具有更低密度的0.2-0.3μm尺寸COP,经过高温热处理之后,HSb-NCZSi具有更高的与氧沉淀相关的体微缺陷密度,此外,其对...
关键词：直拉单晶硅 高温热处理 抛光片 微缺陷 机械强度 密度比 沉淀相 位错滑移 高热稳定性 吸杂 
吸杂口偏置型旋风分离装置的小麦清选试验被引量：8
《河南科技大学学报（自然科学版）》2014年第5期73-78,111-112,共6页袁华杰 周学建 马萌 李宇航 王升升 
国家"十二五"科技支撑计划基金项目(2011BAD20B10)
针对小麦清选中吸杂风机转速过高的问题,对旋风分离装置进行了吸杂口偏置的试验研究。通过自行设计吸杂口偏置型旋风分离装置试验台,对旋风分离筒的吸杂口偏移位置进行试验研究,得到了清选效果较优的偏置吸杂口旋转角度和吸杂口偏移距离...
关键词：旋风分离 清选装置 偏置吸杂口 影响规律 
联合收获机吸杂口偏置型旋风分离清选装置试验被引量：16
《农业机械学报》2014年第8期80-85,159,共7页周学建 袁华杰 闫卫红 师清翔 马萌 李宇航 
'十二五'国家科技支撑计划资助项目(2011BAD20B10)
利用吸杂口偏置型旋风分离清选装置试验台,进行了旋风分离筒吸杂口偏置角度和偏置距离试验,研究了吸杂口偏移位置参数对清选性能的影响规律,获得了清选效果较优的吸杂口偏置型旋风分离筒的结构参数。通过正交试验和回归试验得到了该清...
关键词：联合收获机 旋风分离 清选装置 偏置吸杂口 影响规律 
电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响
《功能材料》2014年第8期8129-8133,共5页游小刚 谭毅 李佳艳 石爽 郭素霞 
国家自然科学基金资助项目(51074032);国家自然科学基金-云南联合基金资助项目(U1137601);国家自然科学青年基金资助项目(51104028);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(新教师类)(20110041120031)
研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响。采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上制备多孔硅。电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生了变化,通过3min的电子束注入处理,硅片的电阻率发生了明显的改变,大于相同条件下经过快速热处...
关键词：多孔硅 电子束注入 吸杂 电阻率 
探究多晶硅铸锭诱导吸杂技术
《商品与质量（房地产研究）》2014年第4期110-110,共1页王冬 
由于铸造多晶硅生长工艺特点．硅晶体自发成核以（111）晶向为主。同时Fe杂质的分布在铸锭的头部和尾部高、中间低；硅片少于寿命呈现头部和尾部低、中间高的分布趋势。大量杂质分布使得晶锭底部和顶部的材料难以通过后续吸杂和钝化工...
关键词：多晶硅 铸锭 诱导吸杂 技术 
多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响
《人工晶体学报》2013年第11期2364-2368,2379,共6页李佳艳 游小刚 谭毅 郭素霞 
国家自然科学基金(51074032);国家自然科学基金-云南联合基金项目(U1137601);国家自然科学青年基金(51104028);高等学校博士学科点专项科研基金(新教师类)(20110041120031)
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅。通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效...
关键词：多孔硅 电化学腐蚀 吸杂 电阻率 
冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究被引量：1
《半导体光电》2012年第6期830-833,841,共5页郑兰花 徐进 潘淼 陈朝 史珺 
国家自然科学基金项目(61076056);福建省重大专项项目(2007HZ0005-2)
研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后,硅片电阻率从0.2Ω.cm提高...
关键词：磷吸杂 硼吸杂 n型多晶硅 少子寿命 
扩散方阻对多晶硅太阳能电池效率的影响被引量：4
《上海大学学报（自然科学版）》2012年第3期277-281,共5页李鹏荣 吴伟 马忠权 王义飞 
在现有大规模太阳能电池生产工艺的基础上,改变扩散工艺条件,制备一系列的方块电阻发射极.在未改变其他工艺参数的条件下,当发射极方块电阻升高时,短路电流持续上升,开路电压在接近70Ω/□时接近饱和,而填充因子(fill factor,FF)则因串...
关键词：太阳能电池 扩散 方块电阻 吸杂 光致发光图 
多晶硅铸锭诱导吸杂技术被引量：4
《人工晶体学报》2011年第2期537-540,共4页李毕武 黄强 刘振淮 黄振飞 陈雪 张志强 
江苏省自然科学基金(BK2008548)资助项目
由于铸造多晶硅生长工艺特点,硅晶体自发成核以(111)晶向为主,同时Fe杂质的分布在铸锭的头部和尾部高、中间低;硅片少子寿命呈现头部和尾部低、中间高的分布趋势。大量杂质分布使得晶锭底部和顶部的材料难以通过后续吸杂和钝化工艺来改...
关键词：铸锭多晶 少子寿命 杂质 吸杂 
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