光刻胶对等离子腐蚀的影响  

作　　者：L.Y.Tsou 黄子伦 

机构地区：[1]北美菲利浦公司

出　　处：《微电子学》1990年第3期65-68,共4页Microelectronics

摘　　要：为了揭示光刻胶在氯化物等离子体中所起的作用,研究了具有不同光刻胶敷层的多晶硅和二氧化硅的腐蚀特性。二氧化硅的腐蚀速率随片子上光刻胶的减少而下降。虽然多晶硅的额定腐蚀速率对光刻胶敷层不敏感,但是二氧化硅掩蔽的多晶硅图形的腐蚀速率要比光刻胶掩蔽的高。推测由于光刻胶腐蚀产生的氯化碳物质是产生这些特性的原因。此外,我们发现,如果采用不受腐蚀的掩膜,那么在用氟化物等离子体腐蚀多晶硅时就有工种负载效应,但是光刻胶存在则抑制这种效应。

关 键 词：VLSI 光刻胶 等离子腐蚀 

分 类 号：TN470.598[电子电信—微电子学与固体电子学]