超临界干燥和普通干燥方法对多孔硅的结构及性质的影响  

作　　者：徐东升[1] 郭国霖[1] 桂琳琳[1] 唐有祺[1] 张伯蕊[2] 秦国刚[2] 

机构地区：[1]北京大学物理化学研究所,北京100871 [2]北京大学物理系,北京100871

出　　处：《科学通报》1999年第21期2272-2276,共5页Chinese Science Bulletin

摘　　要：对经超临界干燥与经自然干燥处理的多孔硅样品的表面形貌、光致发光、Raman光谱和光吸收特性进行了对比研究 .扫描电子显微镜和Raman光谱分析表明 ,经超临界干燥处理与自然干燥处理的多孔硅样品的微结构存在显著的差异 .经超临界干燥处理的样品的骨架没有塌缩 .而自然干燥的样品的骨架则出现严重碎裂 .另外 。

关 键 词：多孔硅 超临界干燥 光致发光 光吸收 自然干燥 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]