应用于直接数字频率合成器的6-GHz GaAs HBT只读存储器  

作　　者：陈建武[1,2] 王丽[2] 吴旦昱[1,2] 陈高鹏[1,2] 金智[1,2] 刘新宇[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029

出　　处：《科学通报》2011年第13期1065-1070,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB327505)

摘　　要：只读存储器广泛应用于直接数字频率合成器的相位幅度转换电路.通过对只读存储器建立等效模型,分析如何减少存取时间,提高直接数字频率合成器的工作频率.并对仿真波形出现信号偏差现象进行分析,以指导电路设计.设计的64×3bit只读存储器集成到8bit直接数字频率合成器中.测试结果表明只读存储器最高工作在6GHz,可有效提高直接数字频率合成器的无杂散动态范围.

关 键 词：只读存储器 双极型存储器 直接数字合成器 直接数字频率合成器 砷化镓 异质结双极型晶体管 

分 类 号：TN74[电子电信—电路与系统]