Mg_2Si薄膜的磁控溅射制备及表征  

Fabrication and Characterization of the Mg_2Si Films by Magnetron Sputtering

作　　者：余志强[1,2] 谢泉[2] 肖清泉[2] 

机构地区：[1]湖北民族学院电气工程系,恩施445000 [2]贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

出　　处：《材料导报》2011年第12期56-58,共3页Materials Reports

基　　金：科技部国际合作专项项目(2008DFA52210);湖北民族学院信息工程学院青年基金项目(2011009)

摘　　要：采用直流磁控溅射的方法在Si（100）衬底上制备了Mg2Si外延半导体薄膜。通过XRD和FESEM对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征，分析了溅射功率对Mg2Si薄膜制备的影响，得到了Mg2Si薄膜在不同溅射功率下的外延生长特性。结果表明，在Si（100）衬底上，MgzSi薄膜具有（220）的择优生长特性，并且在50～80W的溅射功率范围内，随着溅射功率的增加，Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度逐渐增强。Epitaxial films of magnesium silicide MgzSi were prepared by direct current magnetron sputtering system on Si（100） substrates. The crystal structures and the surface morphology of the Mg2 Si films were characterized by Xray diffraction and Field emission scanning electron microscope. The epitaxial growth properties of Mg2 Si films were obtained by investigating the effects of sputtering power on the fabrication of Mg2 Si films. The results show that Mg2 Si films have a strong Mg2 Si（220） epitaxial preferential orientation, and Mg2 Si（220） peak intensity in- creases with increasing sputtering power from 50W to 80W.

关 键 词：磁控溅射 MG2SI 溅射功率 择优取向 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]