SiC779CD：集成DrMOS解决方案  

出　　处：《世界电子元器件》2011年第6期30-30,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay Intertechnology推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案SIC779CD。

关 键 词：N沟道MOSFET 集成 驱动IC PWM 全功能 二极管 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]