Sn离子注入PbTe的热电性能和结构  

THERMOELECTRIC PROPERTIES AND STRUCTURE OF Sn\|IMPLANTED LEAD TELLURIDE 

作　　者：张联盟[1] 沈强[1] 李俊国[1] 王国梅[1] 涂溶[2] 陈立东[2] 平井敏雄[2] 

机构地区：[1]武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070 [2]日本东北大学金属材料研究所

出　　处：《物理学报》1999年第12期2334-2342,共9页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：对碲化铅（ＰｂＴｅ） 在室温下进行了Ｓｎ 离子注入（２００ ｋｅＶ，６ ×１０１６ 和１ ×１０１７ ｉｏｎ／ｃｍ ２） ．应用电学和热学测量、Ｘ 射线衍射技术（ＸＲＤ） 和Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 研究了Ｓｎ 离子注入ＰｂＴｅIn this paper, it is reported that the Sn ions (200?keV, 6×10\+\{16\} and 1×10 17 ion/cm 2) were implanted at room temperature into specimens of lead telluride. By making use of electric and thermal measurements, X\|ray diffraction and X\|ray photoelectron spectroscopy, we have studied the effects of implantation on the thermoelectric properties and the structure of implanted layer of lead telluride.

关 键 词：热电性能 碲化铅 离子注入 锡离子 

分 类 号：TN370.53[电子电信—物理电子学]