王国梅

作品数：33被引量：56H指数：4
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供职机构：武汉工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：离子注入陶瓷半导体陶瓷BATIO阻抗谱更多>>
发文领域：化学工程电子电信理学一般工业技术更多>>
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Sn离子注入PbTe的热电性能和结构被引量：5
《物理学报》1999年第12期2334-2342,共9页张联盟 沈强 李俊国 王国梅 涂溶 陈立东 平井敏雄 
国家自然科学基金
对碲化铅（ＰｂＴｅ） 在室温下进行了Ｓｎ 离子注入（２００ ｋｅＶ，６ ×１０１６ 和１ ×１０１７ ｉｏｎ／ｃｍ ２） ．应用电学和热学测量、Ｘ 射线衍射技术（ＸＲＤ） 和Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 研究了Ｓｎ 离子注入ＰｂＴｅ
关键词：热电性能 碲化铅 离子注入 锡离子 
有机阳离子聚合电解质对蒙脱石粘土(膨润土)泥浆稀释机理的研究被引量：4
《硅酸盐通报》1999年第2期11-18,共8页李晓池 熊传溪 李凝芳 王国梅 
本文利用三种有机聚合电解质、三聚磷酸钠和六偏磷酸钠等添加剂对蒙脱石粘土（膨润土）泥浆进行了稀释试验，结果表明有机聚合电解质１＃（ＮＣＭＣ）有很好的稀释效果。通过红外光谱、Ｘ－衍射和电子显微镜对有机聚合电解质、蒙脱石粘...
关键词：蒙脱石 泥浆 稀释 有机阳离子 聚合 电解质 陶瓷 
氮化碳薄膜的耐腐蚀性和热稳定性研究被引量：2
《材料科学与工程》1998年第1期47-49,共3页郭怀喜 吴大维 何孟兵 傅德君 张志宏 范湘军 王国梅 
国家自然科学基金
本文研究了氮化碳薄膜在氢氟酸，氢氟酸加硝酸混和酸中的抗腐蚀作用。研究表明合金钢表面镀氮化碳薄膜之后，能显著降低阳极金属电化学腐蚀电流，使金属表面明显钝化。采用热失重－差热分析方法研究氮化碳薄膜的热稳定性和抗氧化性表明...
关键词：氮化碳 耐腐蚀性 热稳定性 薄膜 
平板玻璃的表面改性与镀膜技术
《国外建材科技》1997年第4期33-39,共7页王国梅 
介绍了建筑用镀膜玻璃;阐述了镀膜窗玻璃的光谱特性、光学热学性能参数以及平面磁控反应溅射的成膜技术。
关键词：平板玻璃 薄膜 磁控溅射沉积 镀膜玻璃 
高温发泡陶瓷的烧成工艺与性能被引量：17
《新型建筑材料》1997年第11期19-21,共3页王国梅 徐晓虹 吴建锋 
利用地方瓷砂原料和废碎玻璃试制了具有防水、保温功能的高温发泡陶瓷。探讨了原料配方、烧成制度对制品的主要性能，如：导热系数、吸水率、密度和强度的影响。研制的高温发泡陶瓷具有烧成温度低、烧成时间短、烧成温度范围宽、易于生...
关键词：陶瓷 高温发泡陶瓷 保温材料 烧成 性能 工艺 
氮化碳薄膜的红外吸收光谱(FTIR)研究被引量：5
《武汉大学学报（自然科学版）》1997年第5期637-640,共4页彭友贵 傅强 叶明生 张志宏 吴大维 王国梅 
国家自然科学基金
测量了采用ＲＦ－ＣＶＤ方法制备的氮化碳薄膜的ＦＴＩＲ曲线，膜层中的Ｃ—Ｎ键、石墨相、ＣＮ键和ＣＮ键的红外吸收峰波数分别为１２５０ｃｍ－１，１５７６ｃｍ－１，１６８７ｃｍ－１和２０５４ｃｍ－１．采用技术措施避免石墨相析...
关键词：红外吸收光谱 超硬材料 氮化碳薄膜 定量分析 
铜离子注入镧掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的阻抗谱研究被引量：1
《中国陶瓷》1997年第5期8-11,32,共5页王国梅 徐晓虹 吴建锋 杜慧玲 勾焕林 
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室资助
本文应用宽频率范围的阻抗谱测量，分析了铜离子注入（１１０ＫｅＶ，６×１０１５和１×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２）镧掺杂ＢａＴｉＯ３半导瓷在不同温度时的晶粒电阻晶界电阻和电极与材料界面电阻。提出了相应的等效电路。研究结果表...
关键词：钛酸钡 离子注入 阻抗谱 半导体陶瓷 掺杂 
Cu注入 PTC BaTiO_3 陶瓷的复阻抗谱研究被引量：2
《功能材料》1997年第5期495-499,共5页杜慧玲 王国梅 雷家珩 
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室资助
对传统工艺法制备的ＢａＴｉＯ３陶瓷进行了Ｃｕ元素的离子注入。在较宽的频率范围内和不同温度下对样品进行了阻抗测量，确定了样品的等效电路。根据阻抗谱分析了Ｃｕ注入ＢａＴｉＯ３多晶陶瓷的晶粒、晶界电阻与温度的关系。结果表明...
关键词：半导体陶瓷 PTC 离子注入 钛酸钡 阻抗谱 
铜离子注入镧掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的阻抗谱研究
《现代技术陶瓷》1997年第2期19-25,共7页王国梅 杜慧玲 雷家珩 勾焕林 
本文应用宽频率范围的阻抗谱测量,分析了铜离子注入(110kev,6×10^(15)和1×10^(17)ions/cm^2)镧掺杂BaTiO_3半导瓷在不同温度时的晶粒电阻,晶界电阻和电极与材料界面电阻。提出了相应的等效电路。同时,讨论了离子注入剂量的影响,表明...
关键词：离子注入 阻抗谱 陶瓷半导体 钛酸钡陶瓷 铜 
铜离子注入(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3半导体陶瓷的交流阻抗特性
《陶瓷学报》1997年第2期78-85,共8页王国梅 徐晓虹 吴建锋 杜慧玲 勾焕林 
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室资助
本文测量了铜离子注入（Ba(1－x)Srx）TiO3半导体陶瓷样品在25～180℃，10Hz～13MHz之间的交流阻抗。根据等效电路模型与阻抗谱的变化，分析了注入样品的晶粒电阻、晶界电阻及其对温度的依从位以及样品的PTCR特性。研究表明，注入剂量为...
关键词：离子注入 阻抗谱 半导体陶瓷 铜离子 氧化钛 
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