陶瓷半导体

作品数：45被引量：82H指数：5
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分等级结构ZnSnO_3气敏材料的合成及其气敏性能研究
《云南化工》2018年第4期123-124,共2页张晴亮 任晓晨 
天津市大学生创新创业训练项目资金支持;项目编号:201610059055
ZnSnO_3用传统工艺制备的气敏元件就能表现出良好的敏感特性,是当前研究热点之一。采用沉淀法制备了ZnSnO_3的前驱体,之后再将制得前驱体进行高温焙烧,最后得到我们所需的钙钛矿型复合氧化物。制备是通过锌离子与柠檬酸钠以及四氯化锌...
关键词：陶瓷半导体 偏锡酸锌 气敏测试 最佳条件 
稀土掺杂对BaTiO_3陶瓷结构和性能的影响被引量：1
《四川稀土》2007年第1期20-23,共4页胡艳 杜红炎 
本文综合了国内外稀土改性BaTiO3陶瓷的相关研究报导,着重阐述了稀土掺杂对BaTiO3陶瓷电阻率和介电性能的影响规律,并分析了其作用机理。作为BaTiO3陶瓷常见的添加剂稀土元素,可以降低陶瓷电阻率,开发出BaTiO3陶瓷半导体方面的应用;可...
关键词：BATIO3陶瓷 介电性能 陶瓷结构 稀土掺杂 温度特性 陶瓷半导体 高介电常数 陶瓷电容器 
BaTiO_3基PTCR陶瓷中Bi_2O_3蒸汽掺杂和Mn的协同作用被引量：6
《功能材料》2002年第1期86-87,共2页齐建全 桂治轮 李龙土 
ＢａＴｉＯ３基陶瓷材料的ＰＴＣＲ效应与施受主掺杂密切相关。通过Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３等蒸汽掺杂，材料的ＰＴＣＲ效应可以得到提高。然而，蒸汽掺杂之后，ＰＴＣＲ效应提高的幅度在含受主Ｍｎ的材料中比纯施主掺杂的材料中要大得...
关键词：PTCR 蒸汽掺杂 锰 钛酸钡 陶瓷半导体 
PTC材料的特性及其应用被引量：1
《现代物理知识》2000年第4期27-29,共3页张志芹 
关键词：PTC材料 正温度系数 陶瓷半导体 
热敏电阻器
《国外传感技术》2000年第4期131-133,共3页安迪生 
关键词：热敏电阻器 陶瓷半导体 
PbO气相热扩散条件对SrTiO_3基多功能陶瓷性能的影响
《洛阳师专学报（自然科学版）》2000年第2期61-64,共4页孙献忠 王彦美 
本文研究了PbO气相扩散及其热扩散工艺条件对半导化SrTiO3基陶瓷的介电性能(ε)、介电损耗 (D)、非线性系数 (α)及电阻率 (ρ)的影响 .用SEM和EPMA对微观结构进行了观察和分析 ,结果显示PbO主要集中在晶界附近 .用PbO气相扩散法成功地...
关键词：扩散 晶界 氧化铅 陶瓷半导体 性能 
石墨造孔PTCR性能和结构的研究被引量：3
《郑州工业大学学报》2000年第1期49-52,共4页苏士美 
河南省科技攻关项目!(96 1 1 2 0 31 4 )
对采用规模工业级原料取得的石墨造孔PTCR的工艺技术、性能和微观结构进行了全面的研究和探讨 .当石墨的质量分数为 1 .0 %时 ,采用快速升温、自然冷却的方法 ,可得到室温电阻率低 (2 0～1 0 0Ω·cm)、升阻比高 (≥ 1 0 5)、温度系数大...
关键词：热敏电阻 PTCR 石墨造孔剂 钛酸钡 陶瓷半导体 
Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究被引量：1
《半导体技术》2000年第1期33-35,41,共4页岳瑞峰 王佑祥 陈春华 
国家自然科学基金
采用电子束蒸发的方法在200℃抛光的(1102)取向的蓝宝石(︿-Al2O3单晶)衬底上淀积200nm的Cr膜,并在高真空中退火。利用MCs+-SIMS技术(在Cs+一次离子轰击下检测MCs+型二次离子)对样品进行了深度剖析,给出了界面组分分布随退火温度与时间...
关键词：CR 蓝宝石 离子质谱 陶瓷半导体 
Te-Bi-Se稀散元素化合物半导体制冷材料的合成及应用研究被引量：1
《辽宁大学学报（自然科学版）》1999年第4期365-368,共4页龚定农 林沛勋 龚锡阳 邓昭锦 
用陶瓷工艺方法合成Ｔｅ－ Ｂｉ－ Ｓｅ 化合物多晶陶瓷半导体材料，用激光法测得热导率为１０ｍ Ｗｃｍ·Ｋ，用四探针法测得材料电导率为９００ ～１０００Ω－ １ｃｍ － １ ；热电法测得材料的温差电动势率达到１８８ ～２００μ...
关键词：碲化合物 半导体制冷 多晶化合物 陶瓷半导体 
多施主掺杂PTC陶瓷材料的研究被引量：3
《热固性树脂》1999年第4期54-58,共5页马建丽 曲远方 马卫兵 
国家九五科技攻关项目
本文在双施主掺杂高ＴｃＢａＴｉＯ_３基ＰＴＣ陶瓷材料的基础上，对ＢａＴｉＯ_３的Ａ、Ｂ、Ｏ位同时进行离子置换以实现多施主掺杂，同时还研究了烧结温度对阻温特性的影响。研究结果表明，多施主掺杂试样的烧成温度对ｐ－Ｔ性能影响...
关键词：多施主掺杂 电阻率 热敏电阻 陶瓷半导体 
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