碲化合物

作品数：15被引量：7H指数：1
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热电Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_(3)中扩散屏蔽层材料的筛选
《Science China Materials》2024年第1期289-294,共6页刘敏 李文 裴艳中 
supported by the National Natural Science Foundation of China (T2125008 and 52022068);the Innovation Program of Shanghai Municipal Education Commission (2021-01-07-00-07-E00096)。
Bi2Te3基热电发电器件作为低品位余热回收应用中唯一商业化的热电器件,通常使用镍作为电极.Bi2Te3/Ni的界面处常形成镍碲化合物,Bi_(2)Te_(3)基热电器件以及其他热电器件长期服役的稳定性主要取决于热电材料与电极界面处的长期稳定性(...
关键词：热电器件 热电材料 BI2TE3 转换效率 界面稳定性 碲化合物 屏蔽层 电极界面 
日本发现酒煮铁碲化合物会产生超导性的机制
《功能材料信息》2012年第5期50-50,共1页
日本研究人员日前宣布，他们发现了用酒煮铁碲化合物时，能够引发后者具有超导性的机制。这是由于酒内含有的有机酸能清除多余的铁，而多余的铁会阻碍超导性。研究人员有望以此为基础开发新型超导体。
关键词：超导性 化合物 机制 日本 铁 酒 碲 研究人员 
日本发现酒煮铁碲化合物会产生超导性的机制
《分析测试学报》2012年第9期1198-1198,共1页
日本研究人员日前宣布,他们发现了用酒煮铁碲化合物时,能够引发后者具有超导性的机制。这是由于酒内含有的有机酸能清除多余的铁,而多余的铁会阻碍超导性。研究人员有望以此为基础开发新型超导体。
关键词：超导性 化合物 机制 日本 铁 酒 碲 研究人员 
河南省上宫金矿床金属硫化物的成分特征及其地质意义
《矿床地质》2012年第S1期743-744,共2页胡新露 姚书振 何谋春 熊索菲 
<正>河南省上宫金矿位于华北克拉通南缘的熊耳地体之中。矿区出露地层主要为中元古界熊耳群许山组,主要为安山岩,其次为少量玄武安山岩和流纹岩。矿区内北东向断裂最为发育。整个含金构造带形态似帚状,自南西向北东逐渐撒开。矿体呈脉...
关键词：上宫金矿 碲化物 镍矿 碲化合物 金属硫化物 碲铅矿 河南省 
机械球磨-热压法制备Bio.5Sb1.5Te3热电材料
《中国粉体技术》2004年第z1期75-78,共4页宋新莉 杨君友 张同俊 彭江英 朱文 陈跃华 
用机械球磨-热压法制备了Bi0.5Sb1.5Te3热电材料,分别研究了机械球磨时间对合成Bi0.5Sb1.5Te3合金相的影响和烧结温度对其热电性能的影响.结果表明:Bi、Sb、、Te原始混合粉末高能球磨10 h以后,就可以完全合金化,生成Bi0.5Sb1.5Te3相.球...
关键词：热电材料 铋化碲化合物 机械球磨 热压 
Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长及其缺陷分析
《材料科学与工程》2001年第4期14-19,共6页常永勤 谷智 郭喜平 介万奇 
国家自然科学基金;航空科学基金资助项目
采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CM...
关键词：Cd1-xMnxTe BRIDGMAN法 ACRT-B法 微裂纹 位错 晶体生长 单晶 镉锰碲化合物 半导体材料 缺陷 
有机金属半夹心结构铑的硒、碲化合物和Te-Te键间插入碳原子的反应被引量：1
《科学通报》2001年第21期1778-1780,共3页孔庆安 金国新 
本工作为国家自然科学基金杰出青年基金(批准号:29925101);国家重点基础研究发展规划(批准号:G1999064800)资助项目
化合物CptRh（PMe3）Cl2（Cpt=η5-1,3-tBu2C5H3）在DMF溶液中与[Et4N]2Se6反应,形成半夹心结构铑硒化合物CptRh（PMe3）（Se4）.用nBu3P作为亲核试剂,与CptRh（PMe3）（Se4）进行消去反应,得到相应的铑硒三元环化合物CptRh（PMe3）（Se...
关键词：半夹心结构 铑化合物 多硒配体 多碲配体 插入反应 ^77Se-NMR Te-Te键 碳原子 
Cd_(1-x)Zn_xTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响被引量：4
《物理学报》2001年第12期2327-2334,共8页李宇杰 张晓娜 介万奇 
国家杰出青年基金 (批准号 :5 982 5 10 9);国家自然科学基金 (批准号 :5 9982 0 0 6)资助的课题~~
采用传统Bridgman方法和加入acceleratedcruciblerotationtechnique的Bridgman(缩写为ACRT B)方法生长的Cd1 -xZnxTe(x=0 .0 4)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷 .为了减少甚至消除这些缺陷 ,必须将生长后的CdZnTe晶片在C...
关键词：Cd1-xZnxTe 退火 气-固平衡 晶体 锌压 Zn压 质量 Ⅱ-Ⅵ红外半导体材料 镉锌碲化合物 晶体缺陷 
Te-Bi-Se稀散元素化合物半导体制冷材料的合成及应用研究被引量：1
《辽宁大学学报（自然科学版）》1999年第4期365-368,共4页龚定农 林沛勋 龚锡阳 邓昭锦 
用陶瓷工艺方法合成Ｔｅ－ Ｂｉ－ Ｓｅ 化合物多晶陶瓷半导体材料，用激光法测得热导率为１０ｍ Ｗｃｍ·Ｋ，用四探针法测得材料电导率为９００ ～１０００Ω－ １ｃｍ － １ ；热电法测得材料的温差电动势率达到１８８ ～２００μ...
关键词：碲化合物 半导体制冷 多晶化合物 陶瓷半导体 
用XPS测量ZnS_(0.8)Te_(0.2)/G_aP半导体异质结的价带偏移
《暨南大学学报（自然科学与医学版）》1999年第3期28-32,共5页孙汪典 
应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值为１．４５ｅＶ在测量误差范围内，两种方法...
关键词：半导体 异质结 价带偏移 XPS 锌硫碲化合物 
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