郭怀喜

作品数：17被引量：45H指数：4
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供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：氮化碳薄膜氮化碳离子注入离子束混合PECVD更多>>
发文领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《材料导报》《真空科学与技术学报》《半导体光电》更多>>
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Si基的RICBD法生长GaN薄膜被引量：2
《半导体光电》2001年第1期26-30,共5页蔡先体 黄启俊 黄浩 孟宪权 郭怀喜 范湘军 
国家自然科学基金资助项目(19775036)
讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。
关键词：反应离化团簇束沉积 氮化钙薄膜 硅基 
反应离化簇团束制备氮化镓薄膜被引量：1
《武汉大学学报（自然科学版）》1999年第5期604-606,共3页黄浩 孟宪权 王琼 郭怀喜 范湘军 
国家自然科学基金
根据离化簇团束的基本性质与原理，运用反应离化簇团束技术在低衬底温度下制备了氮化镓薄膜．透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定出该薄膜为多晶薄膜．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测定结果表明，已经形成了Ｇａ—Ｎ 化学键，氮、镓原...
关键词：氮化镓 离化簇团束 薄膜 制备 
低压等离子体增强化学汽相沉积法制备立方氮化碳薄膜
《物理学报》1998年第6期1047-1051,共5页张志宏 郭怀喜 余非为 熊启华 叶明生 范湘军 
国家自然科学基金
用低压等离子体增强化学汽相沉积法和氮化硅中间过渡层的方法，在硅片和玻璃上，制备了立方氮化碳薄膜．用光电子能谱测试了其成分和结合能，薄膜含氮量为４２９６％．Ｃ１ｓ和Ｎ１ｓ的结合能分别为２８５０１和３９８６０ｅＶ．...
关键词：低压 等离子体 薄膜制备 PECVD 立方氮化碳 
氮化碳薄膜的耐腐蚀性和热稳定性研究被引量：2
《材料科学与工程》1998年第1期47-49,共3页郭怀喜 吴大维 何孟兵 傅德君 张志宏 范湘军 王国梅 
国家自然科学基金
本文研究了氮化碳薄膜在氢氟酸，氢氟酸加硝酸混和酸中的抗腐蚀作用。研究表明合金钢表面镀氮化碳薄膜之后，能显著降低阳极金属电化学腐蚀电流，使金属表面明显钝化。采用热失重－差热分析方法研究氮化碳薄膜的热稳定性和抗氧化性表明...
关键词：氮化碳 耐腐蚀性 热稳定性 薄膜 
氮化碳薄膜的X射线衍射分析被引量：2
《材料导报》1998年第3期43-45,27,共4页吴大维 何孟兵 范湘军 郭怀喜 范炜 傅德君 
国家自然科学基金
研究了生长在硅片、合金钢片上的氮化碳薄膜的X射线衍射谱(XPD)。实验结果表明在硅片上先生长Si_3N_4过渡层和对样品进行热处理,有利于β-C_3N_4晶体的生成。不同晶面的硅衬底,生长C_3N_4薄膜的晶面不同。合金钢片上C_3N_4薄膜,出现七个...
关键词：氮化碳薄膜 X射线衍射谱 晶体生长 晶体结构 
离子束技术和薄膜功能材料研究
《武汉大学学报（自然科学版）》1997年第1期93-98,共6页范湘军 彭友贵 郭怀喜 吴大维 李金钗 叶明生 傅强 刘昌 孟宪权 张志宏 
国家自然科学基金;国家科委基础研究基金;国家教委资助
总结了武汉大学物理系加速器实验室近年来在离子束技术和薄膜功能材料研究方面的主要成果，包括：大型离子束及薄膜研究设备的建造和改进，非晶合金、高温超导、Ｃ６０、β－Ｃ３Ｎ４等多种新型薄膜功能材料的离子束合成和材料改性研究...
关键词：离子注入 薄膜功能材料 离子束技术 碳60 
C_3N_4薄膜的结构与性能研究被引量：17
《物理学报》1997年第3期530-535,共6页吴大维 何孟兵 郭怀喜 罗海林 张志宏 傅德君 范湘军 
国家自然科学基金资助的课题
用射频等离子体增强化学汽相沉积技术合成Ｃ３Ｎ４薄膜，并采用强迫晶化技术，经透射电子衍射观测，薄膜具有多晶结构．用Ｘ射线光电子能谱测试了Ｃ，Ｎ原子结合能及含氮量．傅里叶变换红外光谱曲线表明薄膜中不含石墨相．测得薄膜的维...
关键词：C3N4 氮化碳 薄膜结构 性能 
PECVD法氮化硅薄膜的研究被引量：9
《材料科学与工程》1997年第1期46-49,共4页吴大维 范湘军 郭怀喜 张志宏 李世宁 
本文采用射频等离子体增强化学气相生长法（ＰＥＣＶＤ），在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在（１００）晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为（１０１）晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和Ｘ射线光电子能谱...
关键词：PECVD 外延生长 氮化硅 薄膜 
直流反应磁控溅射法注积ZrN薄膜被引量：5
《材料研究学报》1997年第2期207-208,共2页吴大维 张志宏 罗海林 郭怀喜 范湘军 
国家自然科学基金!59571047
采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．
关键词：薄膜 反应磁控溅射 外延生长 氮化锆 
RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究被引量：2
《功能材料》1997年第1期93-95,共3页吴大维 张志宏 范湘军 郭怀喜 孟宪权 王国梅 
国家自然科学基金
采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（１ｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ２）＝２８４．６～２８４．８ｅＶ；Ｅ...
关键词：氮化碳 XPS 薄膜 超硬材料 
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