Si基的RICBD法生长GaN薄膜  

GaN Films Grown by RICBD on Si Substrate

作　　者：蔡先体[1] 黄启俊[1] 黄浩[1] 孟宪权[1] 郭怀喜[1] 范湘军[1] 

机构地区：[1]武汉大学物理系，湖北 武汉 430072

出　　处：《半导体光电》2001年第1期26-30,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(19775036)

摘　　要：讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。The principle and properties of reactive ionized cluster beam deposition technique(RICBD) have been introduced.With double-flow method and ZnO buffer layer technique, GaN films on Si substrate are fabricated. Analysis and measurement by XPS,XRD and PL have shown that the GaN films are relatively perfect.

关 键 词：反应离化团簇束沉积 氮化钙薄膜 硅基 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]