高效集成DrMOS解决方案  

出　　处：《电子设计工程》2011年第10期69-69,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案——SiC779CD。器件的工作频率超过1MHz．效率大于93％。所有这些都集成在低外形、热增强型PowerPAK^@MLP6x6的40脚封装里。

关 键 词：集成 N沟道MOSFET 驱动IC 工作频率 PWM 全功能 二极管 增强型 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]