瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术  

在线阅读下载全文

出  处:《中国集成电路》2011年第6期11-11,共1页China lntegrated Circuit

摘  要:瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术.该项技术面向28nm工艺以后的产品,瑞萨电子将把该工艺的SoC(SystemtmaChip)生产全面委托给代工企业。

关 键 词:CMOS工艺 DRAM 技术 混载 标准 LSI 电子 

分 类 号:TN929.11[电子电信—通信与信息系统]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象