改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法  

作　　者：雷震霖[1] 于卓 

机构地区：[1]中科院沈阳科学 [2]心

出　　处：《真空科学与技术》1999年第A10期152-155,共4页Vacuum Science and Technology

摘　　要：本文阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因，定量地分析了有害残余气体的成分，提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。

关 键 词：超高真空 CVD 外延 残余气体 硅 锗 材料性能 

分 类 号：TN304.105[电子电信—物理电子学]